産総研、フッ化物をトンネル障壁に用いた磁気メモリ素子の開発に成功 TECH+(テックプラス).
産総研、MRAM用記憶素子のシリコンLSIへの集積化技術を開発 TECH+(テックプラス).
64MB Micro SDメモリーカード [57925] 748円: デンシ電気店 Web本店, オートソック・ペルチェ素子 ・ソーラーセル・電子工作キット・ヒューズ・計測器・工具・DIY。輸入販売の電子通商(株)。特殊電子部品や特殊電子機器の開発も行います。.
半導体デバイスの種類 東芝デバイス&ストレージ株式会社 日本.
ASCII.jp:IBMリサーチ、AIで活用できる「計算するメモリー」を開発.
従来の限界を超える高温環境で動作する不揮発性メモリー| MANA.
東芝メモリ、96層3次元NAND型フラッシュメモリー 18年量産開始 エレクトロニクス ニュース 日刊工業新聞 電子版.
産総研:原子層制御により磁気メモリー素子の平坦性および磁気安定性を改善.
新たな動作原理による有機メモリ素子の開発に期待~イ プレスリリース・研究成果 東北大学 -TOHOKU UNIVERSITY-.
エルピーダ-00I-不揮発メモリ⑩フラッシュ・メモリーの構造と仕組み siskanakのブログ.
300℃以上で動作する抵抗変化型メモリ素子を開発:アモルファス酸化ガリウムを利用 EE Times Japan.
ROM,RAM,レジスタ,キャッシュとは~制御工学の基礎あれこれ~.
3D NAND型フラッシュメモリについて パソコンPCの森.
半導体素子<ハードウェアとソフトウェア<Web教材<木暮仁.
クロスポイント化に期待がかかる抵抗変化メモリ(ReRAM):福田昭のストレージ通信(151) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(12)(1 2 ページ) EE Times Japan.
第3回:AIチップが開く、新しい情報処理のパラダイム 4 4 連載02 あらゆるモノに知性を組み込むAIチップ Telescope Magazine.
二次元層状物質を積層したトランジスタ型の光多値メモリー素子を開発――光と電子を繋いださまざまな素子に発展することに期待 NIMS fabcross for エンジニア.
第2回:ムーアの法則50周年〜平面での微細化が行き詰まったら縦方向に積層へ〜 3 4 連載04 半導体テクノロジーの今 Telescope Magazine.
ASCII.jp:HPですら実現できなかったメモリスタをあっさり実用化したベンチャー企業TetraMem AIプロセッサーの昨今 2 3.
韓国研究陣、10秒で水に溶ける「007メモリーチップ」開発 Joongang Ilbo 中央日報.
材料の変態を使ってデータを記録する? 東北大学 工学部 材料科学総合学科.
産総研ら, 有機強誘電体メモリーの印刷製造技術を開発 OPTRONICS ONLINE オプトロニクスオンライン.
生体由来高分子を利用した有機薄膜トランジスタメモリ 千葉大学 小林範久・中村一希研究室.
DRAMとフラッシュメモリーの違いは 日経クロステック(xTECH).
メモリやストレージ、記憶装置の分類を整理! 日本ポリマー株式会社.
産総研:超低消費電力・高速動作を兼ね備えた不揮発性抵抗変化メモリー素子RRAMの開発に成功.
全固体リチウム電池を応用した情報メモリー素子を開発――超低消費エネルギー化と多値記録化に初めて成功 東工大ら fabcross for エンジニア.
パソコンの内蔵ドライブはSSDが主流、さらに速さを求めるなら注目はあの規格(2ページ目) 日経クロステック(xTECH).
東北大,新構造の磁気メモリー素子を開発 OPTRONICS ONLINE オプトロニクスオンライン.
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次世代メモリー「MRAM」の記録性能アップ。素子を薄く均一に積層|ニュースイッチ by 日刊工業新聞社.
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